360徒手搓晶圆（1 / 3）

“小刘，小邹，你们确实没有在糊弄我？”林刚把话说完，就感觉自己有些冒失了。

因为视频里的两人都是那处航天基地中出来的。

就拿刘成栋而言，他本人是基地的二把手，论起职位级别比林卫国这个光电所的所长还要高上那么一头。

林卫国也是仗着年龄大，资历老，才会喊对方一声小刘。

至于另一位邹颖就更不必说了，她是基地中的技术部门负责人，经常会与光电所这样的兄弟单位进行合作交流，对彼此的情况也非常熟悉。

就拿最先研发投产的虚拟投影腕表而言，里面几项核心技术就是采用了光电所的技术储备。

从这样两个位高职重的“熟人”口中得知了制造原子级别精度光刻机的事情，林卫国的心中就不免起了几分将信将疑的心思。

没办法，谁让这两人提到的原子级别的精度实在是太匪夷所思了一点！

说到这，就不得不先简单提一下芯片制造的整个流程：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。

而其中最为关键的技术步骤，就是光刻。

什么是光刻？

简单点理解就是通过特殊波动的光线将设计好的电路图案“印刷”到晶圆上。

现目前市面上主流的光刻机，按照制程范围可以分两种：一种是通过准分子激光，将193纳米光源进行折射的DUV光刻机。

DUV光刻机基本只能做到25纳米级别，像著名的因特尔公司就采用双工作台的魔改方式将DUV光刻机的精度做到10纳米，但是无法达到10纳米以下。

不过DUV光刻已经是过去式，另外一种更加先进的EUV光刻机，采取的是等离子激光发射，它能发射的光源光波波长能达到13.5纳米。

在这个曝光精度区间下，一些先进点的晶圆大厂利用多层曝光的手段，亦或是多工作平台的叠加，大幅度提升分辨率，让曝光刻蚀的电路精度级别得到数倍的提升，从而产出7纳米甚至更高级别的5纳米芯片。

但是这样的取巧方法带来的结果就是，最终晶圆流片的良品率偏低，进而导致芯片制造成本的成倍上升。